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西門(mén)康IGBT的現(xiàn)狀分析
日期：2024-09-19 09:02
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摘要：
國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得西門(mén)康IGBT市場(chǎng)一度被看好。雖然長(zhǎng)期來(lái)看，IGBT是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷，還需要很多努力。并且隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場(chǎng)能否再度增長(zhǎng)?
根據(jù)*新的調(diào)查報(bào)告顯示，各種西門(mén)康IGBT器件和模塊的銷售額在2013年將有一定程度的復(fù)蘇，2014年稍稍減速，待經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇并穩(wěn)定后，從2015年開(kāi)始將穩(wěn)定增長(zhǎng)。雖然2013年IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)有所下降，但隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)的進(jìn)步，其發(fā)展前景還是十分被看好的。
IGBT是BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）復(fù)合器件，是業(yè)界公認(rèn)的，發(fā)展*迅速的新型功率器件。
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